로우{0}}사이드 드라이버 칩 소개
로우{0}}측 드라이버 칩은 전력 구동 분야에서 부하와 전원 공급 장치 접지 사이의 스위칭을 제어하기 위해 특별히 설계된 반도체 구동 장치입니다. 이 제품은 산업 제어, 전력 관리, 모터 드라이브 및 가전제품에 널리 사용됩니다.
로우{0}}측 구동의 핵심 정의는 회로의 부하와 스위칭 트랜지스터의 연결 토폴로지에서 비롯됩니다. 일반적인 드라이브 회로에서 전원 공급 장치는 양의 전압을 제공하고, 부하는 전원 공급 장치의 양극 단자와 스위칭 장치 사이에 직렬로 연결되며, 로우{1}}측 드라이버 칩에 의해 제어되는 스위칭 장치는 부하와 시스템 접지 사이에 위치합니다. 스위칭 장치의 도통 및 차단을 제어함으로써 부하 전원 공급 회로의 온/오프 제어를 달성할 수 있습니다. 이 토폴로지는 고{4}}측 드라이버 설계보다 간단하므로 고전압 측 스위치를 구동하기 위한 추가 레벨 변환 회로가 필요하지 않으므로 칩 설계 난이도가 낮아지고 비용 관리가 쉬워집니다.
로우{0}}사이드 드라이버 칩 기능
기능적으로 로우{0}}측 드라이버 칩은 주로 전력 증폭 및 레벨 변환의 핵심 기능을 수행합니다. 대부분의 마이크로컨트롤러와 로직 칩은 제한된 구동 기능(일반적으로 출력 전류가 몇 밀리암페어에 불과함)으로 제어 신호 레벨을 출력합니다. 모터, 솔레노이드 밸브 및 조명 모듈과 같은 전력 부하는 물론 전력 MOSFET 및 IGBT와 같은 전력 스위칭 장치를 직접 구동할 수 없습니다. 로우-측 드라이버 칩은 약한 논리 제어 신호를 전원 스위치의 게이트를 구동하기에 충분한 큰 전류 신호로 변환할 수 있습니다. 또한 제어 단자와 전원 단자 사이의 전압 차이에 적응하여 스위칭 장치가 스위칭 켜기-및 끄기-를 빠르고 안정적으로 완료할 수 있도록 보장합니다. 현재 주류 로우{9}}측 드라이버 칩에는 과전류 보호, 과열 보호, 저전압 차단과 같은 오류 보호 기능이 통합되어 있습니다. 단락, 과부하 또는 칩 작동 온도가 안전 범위를 초과하는 경우 칩이 자동으로 출력을 차단하여 스위칭 장치 및 부하의 손상을 방지하여 시스템 신뢰성을 크게 향상시킵니다.
로우{0}}측 드라이버 칩의 특정 모델 번호
UCC5714x는 MOSFET, IGBT 및 SiC 전원 스위치를 효과적으로 구동할 수 있는 단일 채널, 고성능, 로우사이드-게이트 드라이버입니다. UCC5714x의 일반적인 피크 구동 강도는 3A입니다.
UCC5714x는 OCP 핀을 통해 과전류 보호 기능을 제공합니다. OCP 핀에서 과전류 신호가 감지되면 내부 회로는 EN/FLT 핀을 풀다운하여 오류를 보고하고 OUT을 낮은 단계로 강제 전환합니다. 드라이버가 정상적으로 작동하는 동안 EN/FLT의 외부 풀업 회로가 필요합니다. EN/FLT를 낮게 당기면 드라이버가 비활성화됩니다. EN/FLT는 VDD의 부족 전압 잠금(UVLO) 오류와 과열 오류도 보고합니다. UCC5714x는 SiC 및 IGBT 애플리케이션을 위한 8V 및 12V UVLO 옵션을 모두 제공합니다.
로우-측 드라이버 칩 매개변수
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채널 수 |
1 |
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전원 스위치 |
IGBT, MOSFET, SiCFET |
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피크 출력 전류(A) |
3 |
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입력 공급 전압(최소) (V) |
10 |
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입력 공급 전압(최대) (V) |
26 |
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특징 |
단락 보호, 소프트 턴-끄기 |
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작동 온도 범위(도) |
-40~125 |
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상승 시간(ns) |
8 |
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하강 시간(ns) |
14 |
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채널 입력 로직 |
비-반전 |
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평가 |
목록 |
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부족전압 차단(통상)(V) |
12 |
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드라이버 구성 |
하나의 |
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