절연형 게이트 드라이버 칩

절연 게이트 드라이버 칩은 전력 전자 변환 시스템 내에서 고{0}} 및 저전압 도메인을 분리하고 전원 스위치를 구동하는 핵심 기능을 수행하는 특수 반도체 장치입니다. 이 장치는 주로 IGBT, MOSFET 및 넓은-밴드갭(SiC/GaN) 반도체 스위치와 같은 다양한 전력 장치를 구동하는 데 사용되며-전기 절연, 신호 전송 및 저{6}}전압/저{7}}신호 제어 회로와 고{8}}전압/고{9}}전류 전원 회로 간의 구동 기능 일치와 관련된 문제를 해결합니다. 이러한 칩은 신에너지 차량, 태양광 발전, 에너지 저장 변환기, 산업용 가변-주파수 드라이브, 철도 운송과 같은 분야에서 필수적인 구성요소입니다.

UCC23525 드라이버는 5A 소스 및 5A 싱크 피크 출력 전류와 5kVRMS 강화 절연 정격을 갖춘 IGBT, MOSFET 및 SiC MOSFET용 광-호환형 단일{2}}채널 절연 게이트 드라이버 칩입니다. 30V의 높은 공급 전압 범위 덕분에 바이폴라 공급 장치를 사용하여 IGBT 및 SiC 전력 FET를 효과적으로 구동할 수 있습니다. UCC23525는 로우{10}}측 및 하이{11}}측 전력 FET를 모두 구동할 수 있습니다. 주요 기능과 특성은 회로도 및 레이아웃 설계 모두에서 핀{14}}간 호환성을 유지하면서 표준 광{13}}커플러 기반 게이트 드라이버에 비해 성능과 안정성이 크게 업그레이드되었습니다.

Performance highlights include high common-mode transient immunity (CMTI), low propagation delay, and small pulse width distortion. Tight process control results in small part-to-part skew. The input stage is an emulated diode (e-diode) which means long term reliability and excellent aging characteristics compared to traditional LEDs found in optocoupler gate drivers. The UCC23525 is offered in a stretched SO-6 package, supporting 5KVRMS reinforced isolation rating. The stretched SO-6 package has >8.5mm creepage and clearance, and a mold compound from material group I which has a comparative tracking index (CTI) >600V.

UCC23525의 높은 성능과 신뢰성 덕분에 이 장치는 모든 유형의 모터 드라이브, 태양광 인버터, 산업용 전원 공급 장치 및 가전제품에 사용하기에 이상적입니다. 작동 온도가 높을수록 기존 광커플러에서는 이전에 지원할 수 없었던 애플리케이션에 대한 기회가 열립니다.