솔리드 스테이트 릴레이 칩에 대한 자세한 소개-
무접점-릴레이 칩은 회로 스위칭을 제어하기 위해 트랜지스터 및 사이리스터-와 같은 반도체 부품의 전기적 특성을 활용하는 비접촉 전자 스위칭 장치입니다.- 이는 반도체 재료의 고체 상태 특성을 통해 스위칭 기능을 완전히 수행하므로 기존 전자기 계전기에서 볼 수 있는 이동식 기계 접점이 필요하지 않습니다. 그러므로 이름. 회로 전환을 위해 기계적 접점을 작동하기 위해 전자기력에 의존하는 기존 전자기 릴레이와 달리 SSR은 반도체 부품의 전도 및 차단 상태 변경을 통해 제어를 전적으로 관리합니다. 이를 통해 제어 회로와 부하 회로 사이의 전기적 절연이 가능해지며 기계적 움직임 없이 스위칭 작업이 발생할 수 있습니다.
솔리드 스테이트 릴레이 칩의 특정 모델-
TPSI2260-Q1은 고전압 자동차 및 산업용 애플리케이션용으로 특별히 설계된 솔리드 스테이트 릴레이 칩입니다.- 매우 안정적인 강화 용량성 절연 기술과 내부 백투-MOSFET를 통합하여 2차측 전원 공급 장치가 필요 없는 완전 통합형 솔루션을 제공합니다. TPSI2260-Q1은 TI의 용량성 절연 기술이 기계적 계전기 및 광계전기에서 흔히 발생하는 기계적 마모 또는 광학적 저하 오류 모드에 영향을 받지 않기 때문에 시스템 신뢰성을 향상시킵니다.
장치의 1차측은 단 5mA의 입력 전류로 작동하며 통합 안전 -EN 핀을 갖추고 있어 VDD 공급 장치에 역방향 전원을 공급할 가능성을 방지합니다. 대부분의 애플리케이션에서 장치의 VDD 핀은 4.5V~20V 범위의 시스템 전원 공급 장치에 연결되는 반면, EN 핀은 2.1V~20V 사이의 로직 하이 레벨을 제공하는 GPIO 출력에 의해 구동됩니다. 다른 구성에서는 VDD 핀과 EN 핀 모두 시스템 전원 공급 장치 또는 GPIO 출력에 의해 직접 구동될 수 있습니다.
2차측에는 백-투-MOSFET가 통합되어 있어 ±600V(S1~S2)의 오프 상태 전압 정격을 제공합니다.- TPSI2260-Q1의 MOSFET 애벌런치 견고성과 열에 민감한 패키지 설계는 시스템-레벨 유전체 내전압 테스트(HiPot)를 안정적으로 지원하고 외부 부품 없이 최대 1mA의 DC 고속-충전기 서지 전류를 견딜 수 있게 해줍니다(TPSI2240C-Q1의 경우 0.6mA, TPSI2240C-Q1의 경우 3mA). TPSI2260T-Q1).
무접점-릴레이 칩 매개변수
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FET |
내부 |
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채널 수 |
1 |
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스위칭 전압(최대) (V) |
600 |
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평가 |
자동차 |
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내전압(VISO)(Vrms) |
5000 |
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특징 |
2mA 애벌런치 전류, 용량성 절연 |
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아이맥스(mA) |
50 |
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론(일반)(Ω) |
70 |
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기능 안전 카테고리 |
기능적 안전성-가능 |
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작동 온도 범위(도) |
-40~125 |
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OFF-상태 누설 전류(μA) |
1 |
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절연 등급 |
강화 |
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서지 절연 전압(VIOSM)(VPK) |
10000 |
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작동 절연 전압(VIOWM)(Vrms) |
1000 |
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